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　　在顯示器技術(shù)國(guó)際學(xué)會(huì)“16th International Display Workshops（IDW '09）”的氧化物TFT分會(huì)上，夏普就首次試制的氧化物TFT液晶面板進(jìn)行了技術(shù)發(fā)表（論文序號(hào)AMD7-4）。日本的大型廠商追趕面板試制開(kāi)發(fā)處于領(lǐng)先地位的韓國(guó)廠商，這對(duì)日本未來(lái)的發(fā)展是一件值得欣喜的事情。在開(kāi)發(fā)者見(jiàn)面會(huì)（Authors interview）上演示的2.6英寸QVGA（320×240像素）面板的完成度也很高，由此可以看出夏普為開(kāi)發(fā)該產(chǎn)品進(jìn)行了全力投入。

　　TFT結(jié)構(gòu)為傳統(tǒng)的反向通道蝕刻（Back Channel Etch）型。氧化物半導(dǎo)體采用IGZO（In-Ga-Zn-O）。

　　特性偏差方面，通過(guò)對(duì)320mm×400mm底板上的21個(gè)點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量，遷移率μ＝13.4±0.9cm2/Vs（σ＝0.5），閾值電壓Vth＝3.0±0.4V（σ＝0.2）。對(duì)于人們關(guān)心的可靠性，夏普稱(chēng)基于DC偏壓應(yīng)力的Vth偏移在25℃下為非晶硅（a-Si）TFT的1/4左右程度，在85℃下是其1/10左右。基于脈沖偏壓的Vth偏移在60℃下為a-Si TFT的70％左右。該公司稱(chēng)，作為液晶面板工作時(shí)，在60℃條件下，其TFT特性1000小時(shí)內(nèi)不會(huì)發(fā)生變化。

　　另外，雖然論文集（Proceedings）中沒(méi)有紀(jì)錄，但夏普還介紹說(shuō)，利用該IGZO TFT試制出了與前一天發(fā)布的微晶硅TFT液晶面板（參閱本站報(bào)道）相同的微晶硅TFT12.1英寸WXGA面板，并進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)演示。遺憾的是該公司并沒(méi)有在開(kāi)發(fā)者見(jiàn)面會(huì)上進(jìn)行演示，面板的參數(shù)如下。

　　面板尺寸：對(duì)角12.1英寸

　　像素：WXGA（1280×RGB×800）

　　掃描驅(qū)動(dòng)電路：內(nèi)置

　　1：3 DeMUX電路：內(nèi)置

　　驅(qū)動(dòng)IC總數(shù)：2個(gè)

　　從面板的特性及可靠性方面來(lái)看，雖然內(nèi)置掃描驅(qū)動(dòng)電路及多路分配器（DeMUX：De-multiplexer）電路的難度較高，但不久的將來(lái)也有可能實(shí)現(xiàn)。此次的技術(shù)發(fā)布中提到了論文中沒(méi)有提及的面板，這說(shuō)明開(kāi)發(fā)速度非?？?，今后還有望開(kāi)發(fā)出新面板。

　　盡管氧化物TFT分會(huì)是在學(xué)會(huì)最后一天的下午舉辦的，但與會(huì)者非常多，氣氛十分熱烈。在開(kāi)發(fā)者見(jiàn)面會(huì)上，與會(huì)者積極進(jìn)行討論，足以感受人們對(duì)該領(lǐng)域的期待程度。（日經(jīng)BP社）