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在柔性O(shè)LED制程中很關(guān)鍵!柔性襯底制備過(guò)程及參數(shù)詳解

編輯:songqiuxia 2017-11-23 09:04:31 瀏覽:9225  來(lái)源:未知

  OLED的最大優(yōu)點(diǎn)之一是能夠?qū)崿F(xiàn)柔性顯示,制成人們夢(mèng)寐以求的可折疊的電子報(bào)刊、可卷曲的墻壁電視和可穿戴的顯示器等,淋漓盡致地展現(xiàn)出有機(jī)半導(dǎo)體的魅力。

  柔性有機(jī)發(fā)光二極管(flexible organic light-emitting diodes, FOLED)由制備在柔性村底上的陽(yáng)極、陰極和夾在它們之間的有機(jī)功能層構(gòu)成,其中至少有一側(cè)的電極是透明的,以便獲得發(fā)光面。

  FOLED具備普通OLED的寬視角、高亮度等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)由于FOLED的襯底是具有良好柔韌性的材料,因此比玻璃襯底OLED顯示屏更輕薄、更耐沖擊。且FOLED的制備有望采用卷對(duì)卷方式生產(chǎn),從而大幅地降低制造成本。

  在柔性顯示器中,襯底的選材決定顯示屏的工藝路線、生產(chǎn)成本、顯示質(zhì)量及產(chǎn)品可靠性,是開(kāi)發(fā)柔性顯示器件的基礎(chǔ)。

  目前柔性顯示襯底主要有聚合物基片、金屬基片及超薄玻璃等。

  聚合物

  優(yōu)點(diǎn):柔性好;透明;超輕;可實(shí)現(xiàn)Roll-to- Roll工藝。

  缺點(diǎn):可承受的溫度低;高水氧透過(guò)率,需要水、氧阻擋層;制備難度高。

  聚合物襯底的水氧阻隔能力和在高溫下的穩(wěn)定性都不好,因此制備聚合物襯底的FOLED,其關(guān)鍵問(wèn)題在于提高聚合物襯底對(duì)水氧的阻隔能力,提高聚合物襯底的熱穩(wěn)定性,以及改善在低溫下沉積的ITO薄膜的性能和FOLED器件的封裝。

  金屬片

  優(yōu)點(diǎn):低水氧透過(guò)率;加工過(guò)程中不易膨脹;可承受高加工溫度;耐久性好。

  缺點(diǎn):表面粗糙,需要平坦化處理;不透明,需要頂發(fā)光的OLED,制備難度高。

  與聚合物襯底相比,金屬襯底耐高溫制程,熱膨脹系數(shù)更接近玻璃;具備良好的阻水、阻氧的性能;成本低廉且獲取方便,不需要水氧阻隔層的制備,實(shí)際應(yīng)用成本有望比聚合物更低。

  但是,由于金屬襯底具有不透光和表面粗糙的缺點(diǎn),在金屬襯底上制備FOLED重點(diǎn)需要解決以下技術(shù)難點(diǎn):

  高平整度的柔性金屬襯底開(kāi)發(fā)及在襯底上高反射率陽(yáng)極的制備工藝;

  開(kāi)發(fā)性能穩(wěn)定的半透明陰極技術(shù);

  高效的頂發(fā)光有機(jī)發(fā)光器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化,特別是有機(jī)層厚度的優(yōu)化與控制。

  超薄玻璃

  優(yōu)點(diǎn):低水氧透過(guò)率;加工過(guò)程中不易膨脹;透明。

  缺點(diǎn):易碎;柔性差;成本高;制備難度高。

  玻璃厚度下降到50~200 µm時(shí)能夠彎曲,但是要達(dá)到任意彎折的柔性仍有一定距離,同時(shí)薄玻璃在應(yīng)用中很容易破裂,增加了制備的難度。

  相對(duì)于玻璃來(lái)說(shuō),聚合物和金屬薄片都具有較好的柔韌性,在應(yīng)用上更符合柔性顯示器的性能需求。

  聚合物襯底FOLED制備

  首先,采用帶有氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電薄膜的聚二甲酸乙二醇酯(PEN)作為襯底材料制備了OLED元器件,ITO的方塊電阻為60 Ω/□。器件結(jié)構(gòu)為:

  ITO/NPB (N,N’-Bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl) -benzidine))(30 nm)/Alq3:C545T(2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7,-tetramethyl-1H,5H,11H-10-(2-benzo-thiazolyl) quinolizino-[9,9a,1gh]coumarin)(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%)(30 nm)/Alq3 (20 nm)/LiF (0.7 nm)/Al (150 nm)。

  器件的有效發(fā)光面積為3 mm×3 mm。

  器件的光電性能通過(guò)Keithley 4200半導(dǎo)體測(cè)儀儀器測(cè)試。

  下圖是制備在聚合物襯底上和玻璃襯底上的OLED元器件的亮度和效率的對(duì)比。如下圖所示,相同結(jié)構(gòu)的聚合物襯底FOLED與玻璃襯底OLED光電性能相近。

  玻璃襯底器件與聚合物襯底器件性能對(duì)比

  金屬襯底FOLED的制備

  用乙醇和去離子水沖洗厚度為100 µm的金屬薄片,清洗表面的污染物;在基片表面旋轉(zhuǎn)涂布至少2層的光刻膠,該光刻膠起到絕緣與平坦化的雙重作用。

  采用真空熱蒸鍍的方法制備陽(yáng)極、有機(jī)層和陰極。器件采用頂發(fā)光結(jié)構(gòu):

  Ag/MoOx(20 nm)/NPB (42 nm)/ Bebq2(30 nm)︰Ir(MDQ)2(acac)(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%)/Bebq2(20 nm)/ Li3N (0.5 nm)/Ag (30 nm)/ Alq3 (91 nm)。

  同時(shí)在玻璃襯底上制備了相同有機(jī)層的底發(fā)光器件作為對(duì)比,器件結(jié)構(gòu):

  ITO/MoOx(20 nm)/NPB(20 nm)/Bebq2(30 nm)︰Ir(MDQ)2(acac)(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%)/Bebq2(20 nm)/Li3N (0.5 nm)/Ag (150 nm)。

  器件的光電特性在室溫空氣條件下用Keithley 2602半導(dǎo)體測(cè)試儀及PR655測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試。

  制備在金屬襯底和玻璃襯底上的器件的電壓/電流效率曲線

  上圖是制備在金屬襯底上頂發(fā)光器件與制備在玻璃襯底上的底發(fā)光器件的工作電壓-電流效率曲線。

  如圖所示,在4 V的相同驅(qū)動(dòng)電壓下,制備在金屬襯底上的器件電流效率為16.9 cd/A,制備在玻璃襯底上的器件電流效率為16.4 cd/A。

  金屬襯底上的器件具有與玻璃襯底上的器件相近的電流效率。

  金屬襯底頂發(fā)光器件與相同結(jié)構(gòu)底發(fā)光器件光譜對(duì)比

  是制備在金屬襯底上頂發(fā)光器件與制備在玻璃襯底上的底發(fā)光器件的光譜對(duì)比。

  從光譜圖中可以看出,頂發(fā)光器件光譜峰值是632 nm,底發(fā)光器件峰值是612 nm,頂發(fā)光器件的發(fā)光波長(zhǎng)的半峰寬(36 nm)明顯小于底發(fā)光器件的發(fā)光波長(zhǎng)的半峰寬(84 nm)。

  頂發(fā)光器件和底發(fā)光器件的色坐標(biāo)分別是(0.687,0.312)和(0.634,0.361)。頂發(fā)光器件色度明顯優(yōu)于底發(fā)光器件。

  這是由于頂發(fā)光器件的陰極是半透明半反射的金屬電極,與陽(yáng)極的全反射電極形成顯著的微腔共振效應(yīng),不同能態(tài)的光子密度被重新分配,在特定的有機(jī)層厚度下只有特定波長(zhǎng)的光能夠射出,光波的半高寬(FWHM)變窄,岀射光的波長(zhǎng)峰值如下式所示:

  式中,L為有機(jī)層的光學(xué)長(zhǎng)度,λk為出射光的波長(zhǎng),k=1,2,3,···

  選擇柔性襯底作為OLED的基板時(shí),由于襯底本身的性質(zhì),給器件和制作過(guò)程帶來(lái)了很多問(wèn)題。

  平整性較差

  通常柔性襯底的平整性要比玻璃襯底差,這不符合表面要求。大部分淀積技術(shù)是共形的,制備的薄膜會(huì)復(fù)制襯底的表面形態(tài),使得襯底以上的各層都凹凸不平。這會(huì)造成器件的短路,引起器件損壞;

  熔點(diǎn)低

  柔性襯底的熔點(diǎn)很低,而OLED基板的工藝溫度卻很高,所以,在制作過(guò)程中柔性襯底會(huì)變形甚至熔化。即使溫度較低的環(huán)境中,柔性襯底尺寸也不穩(wěn)定,這給多層結(jié)構(gòu)的OLED制作在精確地整齊排列上帶來(lái)了很大的困難;

  熔點(diǎn)低

  OLED對(duì)水蒸汽和氧氣都比較敏感,而大部分柔性襯底的水、氧透過(guò)率均比較高。

  當(dāng)水汽和氧氣進(jìn)入到器件內(nèi)部時(shí),會(huì)影響陰極與發(fā)光層之間的粘附性、使有機(jī)膜層內(nèi)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。這些都會(huì)導(dǎo)致器件的光電特性急劇衰退,造成器件迅速老化、失效。

  與玻璃襯底相比,塑料襯底對(duì)水汽和氧氣的隔離及對(duì)器件防老化的保護(hù)作用都不夠理想,無(wú)法滿足顯示器連續(xù)工作超過(guò)10,000小時(shí)的壽命要求;

  ITO薄膜易脫落

  為了配合熔點(diǎn)低的柔性襯底,只能在低溫下淀積ITO導(dǎo)電薄膜,制成的ITO導(dǎo)電薄膜電阻率高、透明度差,與柔性襯底之間的粘附性不好,在彎曲時(shí)易折裂,造成器件失效。

  由于常用的柔性襯底PET與ITO的熱膨脹系數(shù)相反,在溫度變化時(shí),一個(gè)收縮,另一個(gè)則膨脹,因此ITO薄膜比較容易脫落重。

  另外,在工作過(guò)程中,也會(huì)因?yàn)槠骷l(fā)熱而導(dǎo)致ITO導(dǎo)電薄膜脫落。

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